Auf dem International Electron Devices Meeting (IEDM) in Baltimore hat Toshiba zwei neue Bauformen für Transistoren vorgestellt. Für Bulk-Silizium mit Strukturbreiten um 20 Nanometer schlägt Toshiba die Verwendung von Kohlenstoff vor, weitere Verkleinerungen sollen sich unter anderem durch Spintronik ergeben. (Prozessor, TSMC)