Wie Samsung meldet, hat man nach eigenen Angaben als weltweit erster Hersteller mit der Serienfertigung von Flash-Speicher in 30 Nanometer Strukturbreite begonnen. Die gefertigten NAND-Chips nutzen die kostengünstige 3 Bit MLC-Technik (Multi Level Cell) und bieten eine Kapazität von 32 Gbit (4 GB). Die neuen Chips sollen eine Lesegeschwindigkeit von 133 Mbit bzw. 16,6 MB je Sekunde erreichen. Ermöglicht wird dies durch ein asynchrones DD
