Nach Angaben des Unternehmens hat Samsung Ende November 2009 die Massenfertigung von NAND-Flashbausteinen mit 30 Nanometern Strukturbreite aufgenommen. Zwei Versionen der 32-Gigabit-Chips soll es zunächst geben, eine davon auch als "DDR Flash" mit deutlich höheren Datenraten als bisher. (Speichermedien, Samsung)
