Forschern um Tomas Palacios vom renommierten Massachusetts Institute of Technology (MIT) ist es gelungen, einen Gallium-Nitrit-Layer in einen Silizium-Chip einzubetten. Dies soll zukünftig dafür sorgen, dass (Weiter lesen)Verwandter InhaltIDF 2009: USB-3.0-Geräte werden vorgestelltDFI Hybrid-Mainboard mit Atom/ION & Sockel 775/P45Microsoft-Campus wird von Raubkatze heimgesucht
