Intel und Micron Technology haben gemeinsam eine Flashspeicher-Technik für Karten und USB-Sticks entwickelt. Das NAND-Flash mit 3 Bit pro Zelle wird mit 34 Nanometern Strukturbreite gefertigt. Es bietet größere Dichte als herkömmlicher Speicher mit 2 Bit pro Zelle und erlaubt somit Flash-Laufwerke mit höherer Kapazität, schreibt Micron.
