Das taiwanische Industrial Technology Research Institute arbeitet an einem neuen Speicherchip, der möglicherweise DRAM und NAND-Flash-Speicher ablösen könnte. Der Resistive-RAM (RRAM) getaufte Speicherchip befindet sich zwar noch am Anfang der Entwicklung, doch bestand der Chip bereits größere Tests wie 1 Million Zugriffszyklen und eine Belastungssimulation von 10 Jahren bei 85 Grad Celsius. RRAM basiert auf wechselbaren Metalloxide und
