Samsung hat heute stromsparende DDR-Chips mit einer Kapazität von 4 Gbit (512 MB) vorgestellte. Damit lassen sich DDR3-Speicher-Module mit einer Kapazität von bis zu 16 GB produzieren. Mit der aufwendigeren und teureren Dual-Die-Fertigung sind sogar Kapazitäten von 32 GB möglich. Damit konnte Samsung die bisherigen Speicherkapazitäten von DDR3-Chips verdoppeln. Möglich wurde dies durch die Fertigung in 50-nm-Technik und einen reduzierten
