IBM ist es zusammen mit AMD, Freescale, ST Microelectronics, Toshiba und dem College of Nanoscale Sciences and Engineering (CNSE) gelungen, eine Static-Random-Access-Speicherzelle (SRAM) mit einer Strukturbreite von 22 Nanometern herzustellen. Die Größe einer Speicherzelle mit sechs Transistoren verringert sich dadurch von 0,143 auf 0,1 Quadratmikrometer. SRAM-Zellen gelten als Vorläufer komplexerer Halbleiter wie Prozessoren.
