Forscher vom japanischen National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) haben unter Mitarbeit von Wissenschaftlern der University of Tokyo einen Flash-Speicher entwickelt, der bis zu 10.000-mal länger halten soll als herkömmliche NAND-Module. Während letztere nur rund 10.000 Schreib-Lese-Zyklen überstehen, verkraften die neuen Chips den Wissenschaftlern zufolge 100 Millionen Durchläufe.
