Infineon hat in Malaysia die erste Phase einer neuen Fab eingeweiht, die die weltweit größte und laut Hersteller wettbewerbsfähigste 200-Millimeter-Fab für Leistungshalbleiter aus Siliziumkarbid (SiC) werden soll. Der Bau ging schnell vonstatten, eine weitere Phase in der Erweiterung folgt auf den Fuß.
