09.08.2023 16:18 Uhr, Quelle: ComputerBase

Flash Memory Summit: SK Hynix entwickelt 321-Layer-TLC-NAND

Als erster Hersteller präsentiert SK Hynix auf dem Flash Memory Summit 2023 eine neue Generation 3D-NAND mit mehr als 300 Zellebenen (Layer). Konkret sollen 321 Layer vorliegen. Pro Zelle werden 3 Bit (TLC) gespeichert und ein ganzer Chip speichert 1 Tbit Daten. Die Serienfertigung steht aber noch lange nicht an.

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