Auf dem Samsung Tech Day 2021 hat der südkoreanische Speicherhersteller nicht nur über DDR6, GDDR7 und HBM3 gesprochen, sondern auch die inzwischen dritte Generation QLC-NAND-Flash mit 4 Bit pro Speicherzelle angekündigt. Basierend auf dem 176-Layer-Design des V-NAND V7 soll es auch deutlich mehr Leistung geben.
