Samsung hat den Weg für High-Bandwidth-Memory-2-Module mit einer höheren Speicherkapazität geebnet. Statt acht Lagen stapelt das koreanische Unternehmen nun zwölf Schichten mit Speicherbausteinen übereinander, ohne dass die Höhe des Pakets von 720 Mikrometern zunimmt. Mehr Speicher, ohne den Platzbedarf zu erhöhen, erlaubt aber nicht nur Speicherchips mit einer höheren Kapazität. Samsung verspricht auch Performancevorteile durch geringere Übertragungszeiten sowie einen geringeren Energieverbrauch. Ermöglicht wird der Fortschritt durch eine neue Technik, die Samsung 12-Layer 3D-TSV nennt, wobei TSV für Through Silicon Via steht. Dabei werden die einzelnen Chips des Speichermoduls nicht von außen (Wire Bonding Technology), sondern innerhalb der Chips miteinander verdrahtet. Dafür werden allerdings pro Speichermodul mit zwölf Lagen mehr als 60.000 TSV-Löcher benötigt, die exakt angeordnet werden müssen. Die für die Ve
