Samsung hat seine Technik für Stacked DRAM mit Silizium-Durchkontaktierung (TSV) weiter verfeinert und stapelt nun zwölf statt bisher acht Schichten (Layer) übereinander, ohne dass das Chipgehäuse dicker wird. Damit soll die Speicherkapazität von High Bandwidth Memory (HBM) auf 24 GB pro Stapel steigen.
