Um die Speicherdichte von NAND-Flash weiter zu steigern sollen künftig noch mehr Bit pro Speicherzelle untergebracht werden. Nach SLC mit 1 Bit, MLC mit 2 Bit, TLC mit 3 Bit und QLC mit 4 Bit folgt PLC (Penta-Level Cell) mit 5 Bit pro Zelle. Außerdem sollen Zellen „halbiert“ und damit deren Speicherdichte erhöht werden.
