Toshiba vermeldet wesentliche Fortschritte bei der Entwicklung von "Magnetoresistive Random Access Memory" (MRAM), das als potenzieller Nachfolger für DRAM und Flash-Speicher gehandelt wird. Anstelle einer elektrischen Speicherung wie bei DRAM und SRAM tritt bei MRAM eine magnetische Speicherung, ähnlich wie bei Festplatten. Die Technik verspricht hohe Speicherdichte und -geschwindigkeit bei geringem Stromverbrauch und hält ihre Daten auch ohne Stromzufuhr.
