Samsung hat eine neue Methode zur Herstellung von NAND-Flashspeicher entwickelt , die zu einer potentiell wesentlich höheren Kapazität führen soll. Ein Multilevel-Cell-Chip (MLC), den die Koreaner mit einer 30-Nanometer-Produktionstechnologie hergestellt haben, fasst bis zu 64 Gigabit. 16 dieser Chips lassen sich dann in einer Memory Card
