Flash-Marktführer Samsung hat in Korea erste Wafer mit Flash-Bausteinen in 30 Nanometern Strukturbreite hergestellt. Nicht nur durch die kleinere Strukturbreite, sondern auch durch eine andere Anordnung der Zellen soll sich so die Dichte der Speicher weiter erhöhen. Bis zum Jahr 2009 soll das Verfahren serienreif sein.
