Samsung hat den Start der Massenproduktion der fünften Generation 3D-NAND (V-NAND v5) verkündet. Durch 50 Prozent mehr Zellschichten steigt die Speicherdichte. Dank Toggle-DDR4-Interface wird der Durchsatz erhöht. Zudem verspricht Samsung niedrigere Latenzen und eine höhere Produktivität.
