31.03.2015 16:29 Uhr, Quelle: ComputerBase

Quad-Level Cell: Intel sieht 3D-NAND als Wegbereiter für 4 Bit pro Zelle

Nach TLC mit drei Bit pro Speicherzelle ist der nächste Schritt zur Kapazitätssteigerung bei NAND-Flash der auf vier Bit. Intel forscht wie andere Branchen bereits länger an Quad-Level Cell (QLC) und sieht im gestapelten 3D-NAND eine Möglichkeit, die Probleme der Technik in den Griff zu bekommen. Einen Termin gibt es noch nicht.

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