11.04.2013 14:05 Uhr, Quelle: Heise

Auch Samsung produziert Flash-Chips mit 16 GByte

Nach Micron/Intel und Toshiba/Sandisk meldet nun auch Samsung die Serienfertigung von NAND-Flash-Bauelementen, die per Triple-Level-Cell-Technik eine Kapazität von 128 Gigabit erreichen.

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