Samsung hat diesen Monat mit der Produktion von 4 Gbit großen „Low Power DDR2 DRAM“-Chips in einem Prozess der 30-nm-Klasse begonnen. Dies geht aus einer heute veröffentlichten Pressemitteilung hervor. Muster der DRAM-Chips fertigt das koreanische Unternehmen bereits seit dem vergangenen Dezember.
